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YGLN01-0613C1
主要特性

關鍵技術指標

n  工作頻段: 6GHz to 12.5 GHz

n  射頻增益: 20dB

n  增益平坦度: ±0.6dB

n  輸出 P1dB=15dBm

n  噪聲系數:1.5dB

n  PINmax:>27/40dBm(CW/pulsed)

n  供電方式:160mA @ +8V

n  輸入/出匹配阻抗:50Ω

n  芯片尺寸:3.50mm x 1.56mm







描述

YGLN01-0613C1 是一款高性能氮化鎵低噪放 MMIC芯片 ,工作頻率為X波段。

YGLN01-0613C1 通帶內噪聲系數為 1.5dB,射頻增益是20dB ;廣泛應用于雷達、電信通訊、儀器儀表等領域。

該芯片采用0.1μm 硅基氮化鎵pHEMT工藝制造,滿足航天級應用。


應用領域

n通訊

n衛星通訊


下一條:YGLN05-0812C1

Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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