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YGLN05-0812C1
主要特性


關鍵技術指標

 

n  工作頻段: 8GHz to 12 GHz

n  射頻增益: 25dB

n  增益平坦度: ±0.8dB

n  輸出 P1dB=20dBm

n  噪聲系數:1.35dB

n  供電方式:62mA @ +5V

n  輸入/出匹配阻抗:50Ω

n  芯片尺寸:3.70mm x 1.00mm





描述

YGLN05-0812C1 是一款高性能氮化鎵低噪放 MMIC芯片 ,工作頻率為X波段。

YGLN05-0812C1 通帶內噪聲系數為 1.35dB,射頻增益是25dB ;廣泛應用于雷達、電信通訊、儀器儀表等領域。

該芯片采用0.1μm 硅基氮化鎵pHEMT工藝制造,滿足航天級應用。



應用領域

n通訊

n衛星通訊


上一條:YGLN01-0613C1
下一條:YGLN04-2333C1

Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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