DH15IB InP HBT工藝技術是一款發射極長為1.5μm的耗盡型HBT工藝;該工藝當前推出試用版,適用于C波段到V波段的VCO和混頻器設計與生產。
DH15IB InP HBT工藝產品:
l 高速接口芯片;
l TIA芯片;
l 驅動芯片;
l 極低相噪振蕩芯片;
l 混頻器。
DH15IB工藝射頻/直流特性
l 擊穿電壓:Vce=6V;
l 截止頻率:Ft=180GHz;
l 最高頻率:Fmax=220GHz;
Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!
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