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DH15IB InP HBT工藝技術是一款發射極長為1.5μm的耗盡型HBT工藝;該工藝當前推出試用版,適用于C波段到V波段的VCO和混頻器設計與生產。

DH15IB InP HBT工藝產品:

高速接口芯片;

TIA芯片;

驅動芯片;

極低相噪振蕩芯片;

混頻器。

 

DH15IB工藝射頻/直流特性

擊穿電壓:Vce=6V;

截止頻率:Ft=180GHz;

最高頻率:Fmax=220GHz;


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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