D007IH工藝技術自2011年規模商用,是一款70nm的mHEMT工藝;該工藝制備頻率從20GHz到160GHz的超低噪聲放大器產品。
D007IH工藝技術的產品噪聲系數極低,可達2.8dB(典型值)@90GHz!適用于通信、衛星通訊、被動成像等領域。
D007IH工藝射頻/直流特性
l業界領先的70nm雙mushroom結構柵極;
l高摻銦溝道(摻銦濃度達70%?。?;
l截止頻率:Ft=300GHz;
l最高頻率:Fmax=450GHz;
l極低噪聲系數:NFmin=0.5dB@30GHz;
l增益:12.5dB@30GHz;
l全局鈍化處理
——外延電阻;
——鎳鉻電阻;
——MIM電容(400pf/mm2和49pf/mm2);
——螺旋電感;
——空氣橋;
——通孔;
——微凸臺;
——全局鈍化芯片:覆蓋150nm氮化硅;
——封裝級產品:全局150nm氮化硅鈍化層(標準)或300nm(可選)氮化硅鈍化層;
——芯片標準厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可選);
——厚金屬層可選,用于優化芯片噪聲性能。