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D007IH工藝技術自2011年規模商用,是一款70nm的mHEMT工藝;該工藝制備頻率從20GHz到160GHz的超低噪聲放大器產品。

D007IH工藝技術的產品噪聲系數極低,可達2.8dB(典型值)@90GHz!適用于通信、衛星通訊、被動成像等領域。

 

D007IH工藝射頻/直流特性

l業界領先的70nmmushroom結構柵極;

l高摻銦溝道(摻銦濃度達70%?。?;

l截止頻率:Ft=300GHz;

l最高頻率:Fmax=450GHz;

l極低噪聲系數:NFmin=0.5dB@30GHz;

l增益:12.5dB@30GHz;

l全局鈍化處理

——外延電阻;

——鎳鉻電阻;

——MIM電容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋電感;

——空氣橋;

——通孔;

——微凸臺;

——全局鈍化芯片:覆蓋150nm氮化硅;

——封裝級產品:全局150nm氮化硅鈍化層(標準)或300nm(可選)氮化硅鈍化層;

——芯片標準厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可選);

——厚金屬層可選,用于優化芯片噪聲性能。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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