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D01MH工藝技術自2010年規模商用,是一款125nm的mHEMT工藝;該工藝制備頻率最高達90GHz的超低噪聲放大器產品。

D01MH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證,并被列入歐洲宇航局首選器件清單(EPPL)。

 

D01MH工藝射頻/直流特性

l擊穿電壓:Vbgd=8V(典型值);

l開啟電壓:Vt=-0.9V;

截止頻率:Ft=150GHz;

l最高頻率:Fmax=250GHz;

l噪聲系數:NFmin=0.8dB@30GHz;

l增益:11.5dB@30GHz;

l全局鈍化處理

——外延電阻;

——鎳鉻電阻;

——MIM電容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋電感;

——空氣橋;

——通孔;

——微凸臺;

——全局鈍化芯片:覆蓋150nm氮化硅;

——芯片標準厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可選);

——厚金屬層可選,用于優化芯片噪聲性能。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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