D01PH工藝技術自1999年規模商用,是一款135nm的耗盡型pHEMT工藝;該工藝來制備1GHz到50GHz的超低噪聲放大器和中功率放大器產品。
優異的噪聲系數:NF<0.6dB@2GHz,NF<1.5dB@10GHz。
D01PH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證,并被列入歐洲宇航局首選器件清單(EPPL)。
D01PH工藝射頻/直流特性
l擊穿電壓:Vbgd=8V(典型值);
l開啟電壓:Vt=-0.9V;
l截止頻率:Ft=100GHz;
l最高頻率:Fmax=180GHz;
l噪聲系數:NFmin=1.1dB@30GHz;
l1dB壓縮點功率:P1dB/mm(40GHz)=640mW/mm;
l全局鈍化處理
——外延電阻;
——鎳鉻電阻;
——MIM電容(400pf/mm2和49pf/mm2);
——螺旋電感;
——空氣橋;
——通孔;
——微凸臺;
——封裝級產品:全局150nm氮化硅鈍化層(標準)或300nm(可選)氮化硅鈍化層;
——芯片標準厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可選);
——厚金屬層可選,用于優化芯片噪聲性能。