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D01PH工藝技術自1999年規模商用,是一款135nm的耗盡型pHEMT工藝;該工藝來制備1GHz到50GHz的超低噪聲放大器和中功率放大器產品。

優異的噪聲系數:NF0.6dB@2GHz,NF1.5dB@10GHz。

D01PH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證,并被列入歐洲宇航局首選器件清單(EPPL)。


D01PH工藝射頻/直流特性

l擊穿電壓:Vbgd=8V(典型值);

l開啟電壓:Vt=-0.9V;

l截止頻率:Ft=100GHz;

l最高頻率:Fmax=180GHz;

l噪聲系數:NFmin=1.1dB@30GHz;

l1dB壓縮點功率:P1dB/mm40GHz=640mW/mm;

l全局鈍化處理

——外延電阻;

——鎳鉻電阻;

——MIM電容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋電感;

——空氣橋;

——通孔;

——微凸臺;

——封裝級產品:全局150nm氮化硅鈍化層(標準)或300nm(可選)氮化硅鈍化層;

——芯片標準厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可選);

——厚金屬層可選,用于優化芯片噪聲性能。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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