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ED02AH工藝是一款自1995年就規模商用的0.18μm pHEMT工藝,ED02AH允許在單片MMIC上同時有增強型pHEMT管和耗盡型pHEMT管,是設計、生產多功能芯片工藝。其中,多功能芯片廣泛應用于相控陣應用領域。

ED02AH工藝技術已通過歐洲宇航局航天級認證,并被列入歐洲宇航局首選器件清單(EPPL)。

 

ED02AH工藝射頻/直流特性

l兩個不同開啟電壓Vt

——增強型:225mV;

——耗盡型:-900mV;

l擊穿電壓:Vbgd=8V(典型值);

l截止頻率:Ft=60GHz;

l全局鈍化處理

——外延電阻;

——鎳鉻電阻;

——MIM電容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋電感;

——空氣橋;

——通孔;

——微凸臺;

——封裝級產品:全局150nm氮化硅鈍化層(標準)或300nm(可選)氮化硅鈍化層。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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